半導體芯片失效頻發？失效分析檢測是研發質控、良率提升、故障溯源的核心環節！國聯質檢作為CMA/CNAS 雙資質第三方檢測機構，深耕半導體失效分析領域，以全鏈條檢測能力、國際標準參數、硬核技術實力，為芯片全生命周期質量保駕護航。

一、核心檢測對象：覆蓋半導體全產業鏈

• 晶圓 / 裸片：晶格缺陷、氧化層擊穿、雜質污染、金屬化層電遷移、線寬偏差

• 集成電路（IC）：開路 / 短路、ESD 靜電損傷、閂鎖效應、參數漂移、功能失效

• 分立器件：MOSFET/IGBT/ 二極管，導通電阻異常、擊穿電壓漂移、熱阻失效

• PCBA / 封裝芯片：封裝分層、焊球脫落、引線鍵合失效、濕氣侵入、熱機械裂紋

• 半導體材料：硅片、光刻膠、靶材、封裝料，成分不純、結構異常、性能衰減

二、標準參數：國際對標，數據精準合規

? 國際標準IEC 60749、JESD22、MIL-STD-883、JEDEC JESD47、IPC 9251、ASTM F1241

? 國內標準GB/T 39910-2021、GB/T 2423、GJB 548B、SJ/T 11636-2023

? 核心檢測參數

• 電學：漏電流（1pA-100nA）、閾值電壓、導通電阻（0.1mΩ 起）、擊穿電壓、I-V/C-V 特性

• 失效：ESD（HBM/MM/CDM）損傷、電遷移、柵氧缺陷、短路 / 開路、閂鎖效應

• 形貌：SEM/EDX、C-SAM 超聲掃描、3D-XRay、FIB 切片、TEM 原子級分析

• 可靠性：HTOL（125℃/1000h）、TCT（-55℃~150℃/1000 次）、PCT 高壓蒸煮、THB（85℃/85% RH）

三、國聯質檢：半導體失效分析硬核實力

1. 頂尖設備矩陣1000 + 臺高精儀器，含 HR-TEM 透射電鏡、FIB 聚焦離子束、SIMS 二次離子質譜、OBIRCH 微光顯微鏡、半導體參數分析儀，實現原子級缺陷定位。

2. 資深專家團隊700 + 技術人員，核心團隊15 + 年半導體失效分析經驗，提供方案設計、測試、數據解讀、故障診斷一站式服務。

3. 榮譽背書

• 2021 中國 TIC 機構 50 強第 22 位

• 2023 年度 TIC 優秀第三方檢測機構堅如磐石獎

• 陜西省瞪羚企業、2025 陜西省上市后備企業（B 檔）

• CMA/CNAS 雙資質，報告國際互認、一次過審

4. 高效服務優勢百元起測、快至3 天出報告，覆蓋研發 / 生產 / 質控全場景，助力半導體企業快速定位失效、優化工藝、提升可靠性。

芯片質量無小事，失效分析檢測是半導體產業的 “質量守門人"。國聯質檢以全場景檢測、全標準覆蓋、全實力保障，精準破解芯片失效難題，為 “中國芯" 高質量發展筑牢技術根基！